实盘配资公司SK 海力士的 DRAM 营收环比增长11%

日前，摩根士丹利研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进，存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。

存储芯片，开启超级周期

存储芯片周期性显著强于其他半导体细分领域，近 13 年呈现 3-4 年一轮的周期规律，当前正处于第四轮周期。

回顾前三轮：2012-2015 年由智能机换机潮驱动，后因扩产供过于求下行；2016-2019 年受益 3D NAND 产能转移、DDR4 迭代及手机游戏需求，DRAM 等产品价格涨幅超 100%，后续受 PC / 服务器需求疲软调整；2020-2023 年疫情催生远程办公与数据中心需求，存储先涨后因需求疲软、产能过剩下跌超 50%。

2024 年至今，AI 算力基建与 HBM 技术革命成为新引擎，改写传统周期逻辑。第四轮周期中，存储需求不再依赖个人消费端，企业级 AI 资本开支成为重要支撑，驱动 HBM、DDR4/DDR5 及企业级 SSD 等市场大规模增长。

在此趋势下，、SK 海力士等行业龙头开启新一轮争夺战，业绩迎来空前高增。

10月14日，三星公布的初步财报显示，Q3营业利润为12.1万亿韩元，同比增长31.81%，环比大增158.55%，大超预期。三星单季营业利润历经5个季度，再次回升至10万亿韩元以上，也创下自2022年第二季度（14.1万亿韩元）以来的最高记录。

三季度销售额为86万亿韩元，同比增长8.72%，环比增长15.33%，创下历史新高。三星将于本月晚些时候公布包含净利润和部门明细项目的完整财报。

SK海力士Q3运营利润首次突破10万亿韩元大关，达到11.38万亿韩元，同比激增62%；营收24.45万亿韩元，同比增长39%；净利润12.598万亿韩元，三项核心指标均刷新历史纪录。

HBM业务成为驱动业绩增长的核心引擎。财报披露，12层堆叠的HBM3E及服务器DDR5等高端产品贡献了主要收入增量，推动公司毛利率攀升至57%。

据悉，三星与SK海力士近日已通知客户：2025 年第四季度合同或现货价格将调高至约 30% 的幅度，涉及DRAM 与 NAND Flash 产品。

随着云服务器、AI 模型训练及推理需求的叠加，DRAM 与 NAND 的供需格局正在发生改变。多家国际电子与服务器厂商据称在近日积极与三星、SK 海力士磋商“2-3 年期”中长期供货协议，以锁定未来资源、避免价格波动风险。

DRAM价格攀升的部分原因在于产能受到HBM的挤压。据报道援引美光首席商务官Sumit Sadhana的言论，HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上。由于利润丰厚，内存制造商有充分的动力优先生产HBM。

SK海力士，连续三季度蝉联DRAM市场榜首

在过去两个季度中：2025年Q1，SK 海力士首次打破三星电子自1992年以来的长期垄断，以36.9%的市占率登顶 DRAM 全球榜首，终结了三星长达 33 年的霸主地位。这一里程碑式的突破，标志着 DRAM 市场格局正式进入双雄争霸的全新阶段。

Q1三星市占率降至 34.4%，SK 海力士凭借 2.5 个百分点的优势实现首次超越。

Q2 竞争差距进一步拉大，SK 海力士市占率飙升至 39.5%，而三星市占率续跌至 33.3%，两者差距扩大至 6.2 个百分点。

随着SK海力士Q3财报的公布，新一季度DRAM王座竞赛也已经有了答案。

根据Counterpoint Research 的《存储市场追踪报告》，2025年Q3，SK 海力士的 DRAM 营收环比增长11%，同比增长54%，以35%的营收份额连续第三个季度稳居全球 DRAM 市场第一。在HBM和通用 DRAM强劲表现的推动下，公司本季度的 DRAM 营收也创下了历史新高。

三星电子以34%的市场份额位居第二，营收环比增长29%、同比增长24%，与 SK 海力士之间的差距较去年缩小了5个百分点。

虽然本季度 SK 海力士在整体存储市场上被三星电子反超，但在 HBM 和通用 DRAM 强劲需求的支持下，公司继续领跑 DRAM 市场。在 HBM 市场，SK 海力士以58%的市场份额继续占据主导地位。HBM 在其第三季度 DRAM 总销售额中占比高达40%。此外，公司也预计将顺利按照客户需求推进 HBM4 产品的交付。在通用 DRAM 领域，需求回升与价格上涨也为公司业绩提供了有力支撑。

Counterpoint Research 分析师 Jeongku Choi表示：“随着 AI 存储需求保持高位，SK 海力士有望在Q4延续之前的强劲表现。公司在 HBM4 研发中积极响应客户需求，并在良率表现方面依旧处于行业领先水平。”

SK海力士已与核心客户完成HBM4的供应谈判，计划于第四季度启动量产出货。三星计划在10月27日至31日的“Samsung Tech Fair 2025”技术展览会上亮相其第六代12层HBM4产品，并计划今年晚些时候进入量产阶段。

分析师分析预计12层HBM4产品的售价为每片500美元，较目前约300美元的12层HBM3e价格高出60%以上。

SK海力士的财报也指出，已完成与主要客户关于2026年HBM供应的全部谈判，并计划在2025年四季度开始出货次世代HBM4产品，2026年进行全面销售。

更为关键的是，SK海力士已锁定2026年所有DRAM和NAND产能的客户需求，预计2026年DRAM出货量将同比增长超20%，并预测HBM供应紧张将持续至2027年。

但竞争态势正在发生微妙变化。美光已向英伟达供应部分HBM产品，而三星电子上月通过了英伟达针对先进HBM产品的资格测试。Counterpoint Research研究总监MS Hwang警告：“SK海力士要持续盈利，保持和增强竞争优势将至关重要。”

在后续 DRAM 市场的技术竞赛中，这些存储巨头均铆足了力。

存储龙头，上High NA EUV了

High NA EUV 是一项关键技术，它开启了半导体产业的下一章。

这并非对High NA EUV 光刻机的吹捧，是当前芯片制造的现状。对于存储行业来说亦是如此。

High NA EUV光刻机是下一代芯片制造的关键技术，与传统EUV相比，它能提供1.7倍更精细的电路图案和2.9倍更高的晶体管密度，光学精度提升了40%。

这对于生产密度更高、更节能、性能更强大的2nm代工芯片以及先进存储产品（如垂直通道晶体管DRAM和第六代HBM4）至关重要。

本月，市场消息称三星电子正加速押注DRAM 领域，从 ASML购入 5 台全新 High-NA EUV 光刻机，其中2 台将部署在三星半导体代工事业部，其余设备则专供存储事业部。

此前，三星曾在京畿道园区引进过一台用于研发的High-NA EUV 设备，此次引进的机器将用于“产品量产”，对于三星来说尚属首次。

上个月，SK海力士也刚刚宣布，已将业界首款量产型High NA EUV引进韩国利川M16工厂。

不过当前引进的High NA EUV多用于研发、试生产，并非当前一代产品就会使用High NA EUV生产。

在探究这两大存储龙头何时用上High NA EUV，要从当前市场的竞逐热点1c DRAM说起。

2024年8月，SK海力士就曾宣布成功开发全球首款第六代10nm等级1c制程DDR5 DRAM，是1b平台的延伸，生产效率更高，运行速度、性能方面显著改进。除DDR5外，SK海力士旗下LPDDR6、GDDR7等也将采用此制程。

10nm级的DRAM已经开始引入了EUV光刻技术，但通常只有很少的关键层数应用，绝大部分依然是DUV光刻。

今年8月，SK海力士又将其1c制程DRAM制造，首次升级到了6层EUV光刻，这将有助于提升产品的性能和良率，使得SK海力士能够推出存储位元更密集、读写速度更快、功耗更低的DDR5内存以及更高容量的HBM堆栈。

市场消息称，SK海力士的 1c DRAM 已经实现了 80%-90% 的良率，预计将会在 1d 和 0a DRAM 等下一代产品上更多的使用EUV光刻，最终将为使用更先进的High NA EUV奠定基础。

三星电子在第六代10nm 1c DRAM制程的开发上遭遇了挑战，导致预计完成时间持续推迟。据悉，三星下一代 1c DRAM 在 HBM4 上的良率仅有约 50%，不过三星将会在哪一代产品中使用EUV光刻机尚不清晰。

另一家存储龙头美光方面，尚未使用 High NA EUV。美光在 2025 年推出了采用全新 1γ（1-gamma）制造工艺的 16Gb DDR5 设备，该工艺是美光首次采用 EUV 光刻技术的工艺。但美光采用的是将 EUV 与多重图案化 DUV 技术结合的方式，仅对关键金属层使用 EUV 光刻，其余层仍采用深紫外光（DUV）多重曝光技术。

不过对于 DRAM 的后续演进，美光似乎有自己的想法。

美光，另辟蹊径？

随着与三星电子和SK海力士的竞争日益激烈，美光科技正在加速其10纳米以下DRAM工艺路线图的推进。

据悉，美光正在评估两条潜在的路线图。一条路线遵循常规顺序，从目前的第七代 (1d) 10nm 工艺发展到大约 10.1nm 的第八代 (1e)。另一条路线则更具雄心，它完全跳过 1e 步骤，直接过渡到真正的 9nm DRAM 工艺。

在 DRAM 制造中，更窄的线宽可带来更高的密度和性能。10nm 级工艺已历经数代演进——1x、1y、1z、1a、1b 和 1c——每一代都实现了更精细的微缩。最新的商业化节点 1c 尺寸约为 11.2nm。

一位业内人士指出，关键变量在于美光公司能将其1d节点缩小多少。如果1d线宽保持在10.9纳米左右，那么它可能需要先引入10.1纳米的1e工艺，然后再进一步降低。但如果1d达到约10.2纳米，美光公司就有可能跳过1e工艺，直接进入9纳米级别，这将是一次意义重大的技术飞跃。

据报道，三星计划直接从其1d节点转向9nm（0a）DRAM工艺，而SK海力士预计将采取类似的快速发展战略。随着这两家韩国竞争对手加快9nm工艺的开发，美光公司正在调整其路线图以保持竞争力。

存储两龙头，还搭上了OpenAI

日前，三星电子和SK海力士分别与OpenAI签署协议，宣布作为核心合作伙伴，参与全球人工智能基础设施项目Stargate。

Stargate是OpenAI价值5000亿美元的数据中心基础设施项目，计划为OpenAI的ChatGPT建设20个专注于AI的数据中心。目标是在2029年前投入运营。OpenAI正与软银和甲骨文在该项目上开展合作。

此外，OpenAI还正与三星和SK海力士合作在韩国建设两个数据中心，初始容量为20兆瓦。

未来一段时间，三星和SK海力士将扩大内存芯片产量，目标是每月90万片DRAM晶圆。OpenAI没有说明这是标准DRAM还是专用HBM。不过，KED Global媒体称这是用于HBM的。

因为OpenAI 的 “Stargate” 计划要承载下一代千亿参数大模型，每秒需处理数千万次数据交互，传统 DDR5 内存数百 GB/s 的带宽早已捉襟见肘，而三星与 SK 海力士主打的 HBM（高带宽内存）恰好补上短板 ——HBM3E 的带宽可达 3.35TB/s，能让 GPU 集群效率提升 30%，延迟降低 20%。

据了解，Stargate订单可能还包括服务器DRAM、图形DRAM，甚至SSD。

KED Global表示，每月90万片晶圆是当前全球产能的两倍。据了解，SK海力士目前每月运营16万片DRAM和HBM晶圆。这意味着三星和SK海力士都必须建设新的HBM工厂。连锁反应可能是它们会减少DRAM生产，因为DRAM不如HBM盈利。

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